Напівпровідникова промисловість має найсуворіші вимоги до чистоти графіту серед усіх галузей промисловості. Під час термічної обробки пластини будь-яке осадження домішок призведе до забруднення пластини, що призведе до масивних відходів мікросхем. Для вдосконалених напівпровідникових процесів вміст золи графіту зазвичай повинен бути нижче 5 ppm. Дрібнозернистий ізостатичний графіт є основною сировиною завдяки однорідній мікроструктурі, низькому осипанню частинок і відмінній оброблюваності.
Графітові деталі, які широко використовуються в напівпровідниковому обладнанні, включають графітові токоприймачі, графітові нагрівачі, термозахисні циліндри, графітові кріплення для пластин, графітові напрямні трубки та графітові ущільнювальні кільця. Умови роботи сильно відрізняються залежно від типу обладнання. У печах для витягування монокристалічного кремнію графітові компоненти стикаються з ерозією парів кремнію; у печах для вирощування SiC PVT графіт має витримувати над-високу температуру понад 2200 градусів; в епітаксійних і дифузійних печах компоненти графіту контактують з корозійним технологічним газом протягом тривалого часу.
Покриття поверхні стало стандартною конфігурацією для багатьох напівпровідникових графітових компонентів. Піролітичне вуглецеве покриття та SiC-покриття утворюють щільний захисний шар на поверхні графіту, блокуючи осипання частинок графіту та запобігаючи реакції між графітом і технологічним газом, що значно подовжує термін служби компонентів. У той же час обробка покриття підвищує вимоги до точності обробки графітової підкладки, шорсткості поверхні та допуску на розміри.
Тенденція до-розробки пластин великого розміру спонукає до збільшення розміру графітових компонентів. Оскільки пластини діаметром 300 мм стають основними, а технологія пластин діаметром 450 мм розвивається, монолітні великі графітові компоненти з гарячою зоною все частіше застосовуються для зменшення зазорів у складанні та покращення рівномірності температури. Виробництво великих-бездоганних заготовок із ізостатичного графіту та реалізація прецизійної обробки є основними технічними проблемами для виробників графіту.
Завод Huixian Jincheng Abrasive & Graphite Mold Factory надає послуги з точної обробки напівпровідникових графітових компонентів-. Засноване в 1984 році підприємство обробляє готові графітові деталі на основі імпортних ізостатичних графітових заготовок високої-чистості. Оснащена високошвидкісним-обладнанням для обробки графіту з ЧПК, Jincheng Graphite реалізує високо{6}}точну обробку складних графітових пристосувань, теплових екранів і опорних компонентів для напівпровідникового теплового обладнання. Фабрика може співпрацювати з клієнтами, щоб завершити попередню-обробку, таку як очищення та полірування перед нанесенням покриття. Суворе вимірювання координат і перевірка зовнішнього вигляду реалізуються для кожної партії продукції, щоб гарантувати стабільність розмірів. Хоча Jincheng Graphite в основному зосереджена на механічній обробці графітових компонентів, вона підтримує технічний зв’язок із постачальниками покриттів для постачання повністю кваліфікованих готових деталей для виробників напівпровідникового обладнання.
Глобальне розширення потужностей напівпровідників сприяє безперервному зростанню попиту на високо-продуктивні графітові витратні матеріали. Локалізація напівпровідникового обладнання відкриває величезні ринкові можливості для вітчизняних підприємств з обробки графіту. Jincheng Graphite постійно покращуватиме можливості точної обробки та систему контролю якості, щоб підтримувати конструкцію ланцюга постачання графітових деталей напівпровідникового теплового обладнання.
