Компоненти фотоелектричного графітового теплового поля є основними компонентами сердечника сонячних печей для витягування кристалів кремнієвих пластин, включаючи графітові нагрівачі, теплоізоляційні барабани, теплоізоляційні пластини, кронштейни тигля та провідні структурні частини. Чистота, структурна стабільність і теплова однорідність теплового поля графіту безпосередньо визначають ефективність перетворення, вихід і виробничий цикл фотоелектричних кремнієвих пластин. В епоху батарей типу P- галузь має низькі вимоги до теплового поля графіту, і зрощені графітові компоненти середньої-чистості можуть в основному задовольнити виробничі потреби. Однак після широкомасштабної-популяризації високоефективної-фотоелектричної технології N-типу в 2026 році технічні стандарти фотоелектричного графітового теплового поля були повністю оновлені, а традиційні низько-кінцеві продукти були повністю виключені з основного ланцюга постачання фотоелектричної енергії.
Суттєва відмінність між фотоелектричним графітовим тепловим полем типів N- і P- полягає у вимогах до навколишнього середовища над-високої чистоти та ультра-однорідного теплового поля. Високоефективні кремнієві пластини типу N-- мають надзвичайно високу чутливість до металевих домішок і флуктуацій теплового поля. Сліди металевих домішок, таких як залізо, хром і нікель, у графіті випаровуються при високій температурі вище 1400 градусів і проникають у розплавлений кремній, утворюючи центри рекомбінації неосновних носіїв всередині кремнієвих пластин, що призводить до зниження ефективності перетворення клітин і збільшення швидкості ослаблення світла. Таким чином, виробництво фотоелектричних пристроїв типу N- суворо вимагає, щоб вміст золи в компонентах теплового поля графіту був нижчим за 10 ppm, що є набагато суворішим, ніж стандарт 50 ppm для теплового поля типу P-.
З точки зору структурного дизайну, технологія витягування кристалів з довгим циклом N-типу- висуває вищі вимоги до цілісності та стабільності компонентів теплового поля. Сучасне виробництво кремнієвих пластин великого-розміру 210 мм використовує безперервне тривале-витягування кристалів понад 220 годин на піч. Традиційне сегментоване зрощене термічне поле має монтажні зазори, які схильні до спотворення температурного поля, локального окислення та залишків ерозії парів кремнію під час довготривалої-високо{9}}температурної роботи, що призводить до частого відключення печі та низької ефективності виробництва. Інтегрована цілісна графітова структура теплового поля не має монтажних проміжків, завдяки чому можна реалізувати над-рівномірний розподіл температурного поля, ефективно протистояти високо{12}}ерозії парів кремнію та значно подовжити безперервний цикл експлуатації компонентів теплового поля.
Виробничий процес N{0}}типу фотоелектричних високо-графітових теплових полів має ексклюзивні професійні технічні моменти у відборі заготовок, обробці очищення та оптимізації структури. Що стосується відбору заготовок, можна використовувати лише ізостатичний синтетичний графіт із ультра-високою{4}}щільністю, а природний графіт і звичайний формований графіт повністю виключаються через нестабільний вміст домішок і пухку структуру. З точки зору технології очищення, необхідні вторинне високотемпературне галогенне очищення та багатоциклове вакуумне просочування під тиском. Перше очищення видаляє макроскопічні домішки, а вторинне глибоке очищення усуває сліди летких домішок, гарантуючи, що вміст домішок компонента стабільно знаходиться в межах стандартного діапазону типу N-.
З точки зору оптимізації терміну служби, професійні виробники фотоелектричного графіту повинні проводити цілеспрямоване підвищення щільності та анти{0}}окислювальну обробку для компонентів теплового поля. Просочення високої-щільності може заповнити внутрішні мікро-пори графіту, зменшити адсорбцію парів кремнію та кисню та уникнути окислення компонентів і пошкодження корозією. У той же час інтегрована структурна конструкція оптимізує розподіл термічної напруги компонентів, зменшує пошкодження від термічної втоми, спричинені повторними підвищеннями та падіннями температури, і збільшує термін служби теплового поля більш ніж на 40% порівняно з традиційними зрощеними виробами.
Фабрика абразивних та графітових форм Huixian Jinchengосвоїла повний набір основних виробничих технологій для фотоелектричних компонентів теплового поля N-типу високої-чистості та є одним із перших вітчизняних виробників, який завершив технічну ітерацію продуктів фотоелектричного теплового поля типу N-. Компанія бере на себе лідерство у відмові від усіх графітових матеріалів із середньою та низькою-чистотою та використовує високо{5}}якісні над-дрібнозернисті ізостатичні синтетичні графітові заготовки для всіх продуктів фотоелектричного теплового поля. Завдяки власно-розробленому вторинному високотемпературному-процесу глибокого очищення компанія стабільно контролює вміст золи в компонентах теплового поля нижче 8 частин на мільйон, що вище, ніж міжнародний промисловий стандарт для фотоелектричних пристроїв типу N-.
Націлюючись на болючі точки, пов’язані з коротким терміном служби та нестабільним тепловим полем традиційних фотоелектричних графітових деталей, Jincheng Graphite оптимізує інтегровану цілісну структурну конструкцію компонентів теплового поля, замінює сегментовані з’єднувальні структури великими-розмірними інтегральними нагрівачами та теплоізоляційними стволами та реалізує збірку всієї системи теплового поля без зазорів. У поєднанні з багато{2}}технологією вакуумного просочування високої{3}}щільності компанія ефективно покращує проти-окислювальну та проти-кремнієву пароерозійну здатність компонентів, а безперервний термін служби продуктів теплового поля збільшується більш ніж на 45% порівняно із середнім галузевим рівнем.
На додаток до індивідуального виробництва нових компонентів теплового поля, Jincheng Graphite також надає професійні послуги з оновлення теплового поля, регенерації очищення та технічного обслуговування старого фотоелектричного обладнання глобальних клієнтів. Для традиційних компонентів теплового поля типу P-, які не відповідають виробничим стандартам типу N-, компанія проводить глибоке видалення домішок, покращує щільність і оптимізує структуру, допомагаючи фотоелектричним підприємствам завершити недорогі-технічні оновлення та підвищити ефективність виробництва. Наразі продукція N{5}}типу N-високочистого термічного поля й допоміжні послуги експортуються на багато фотоелектричних виробничих баз у Південно-Східній Азії, Європі та на Близькому Сході та отримали широке визнання світових високоефективних-фотоелектричних підприємств.
Завдяки безперервній ітерації HJT і над-високо{2}}фотоелектричних технологій наступного-покоління стандарти чистоти та стабільності фотоелектричного графітового теплового поля будуть ще покращені. Jincheng Graphite продовжуватиме оптимізувати процеси очищення та структурні схеми, оновлювати-високоефективні рішення для підтримки теплового поля фотоелектричного графіту та допомагати світовій фотоелектричній промисловості продовжувати знижувати витрати та підвищувати ефективність.
